Page 199 - 완) I MDP 프로젝트 작품 보고서(전체과 1학년)1.6

다. 다이오드의 기본 구조

P형 반도체와 N형 반도체를 접해놓은 것을 다이오드(2극 소자)라 한다.
다이오드는 "+"의 전기를 많이 가지고 있는 p형 물질과 "-"의 전기를 많이 가지고 있는 n형 물
질을 접합하여 만든 것으로서, 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과
시키지 않는 특성을 가지고 있다.

라. 다이오드 특성

1) P형 반도체와 N형 반도체를 접합시켰을 때

: 아래의 그림에서와 같이 접합부에서는 정공(+)과 전자(-)가 서로를 끌어당기며 상대 영역으
로 확산이 일어난다.

: 접합면 부근에는 확산과 재결합에 의해서 P형의 정공도 N형의 전자도 존재하지 않는 공간
이 형성된다. 이 공간을 결핍층(공핍층)이라 한다.

: 결핍층 때문에 P영역의 정공과 N영역의 전자는 상대영역으로 들어갈 수 없게 된다. 이를
전위장벽이라 하며 실리콘의 경우 0.7V, 게르마늄의 경우0.3V이다. 하지만 외부에서 전위장벽
보다 높은 전압을 인가하면 전위장벽을 허물 수 있으며 이때는 정공과 전자가 쉽게 이동 할
수 있는 도체가 된다.

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