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그림 - 2Ⅱ 트랜지스터의 종류 < 두산백과>
라 동작원리.
1) NPN 트랜지스터의 동작원리

이미터(E) 층에는 불순물을 많이 도핑하고 컬렉터, (C)
층은 적게 도핑한다. 그리고 베이스(B) 층은 두께를
얇게 수( μ m) 하고, 또 컬렉터(C) 층보다 더 적게
도핑한다 따라서 베이스 층에는 반송자수가 아주 적다. .

그림 Ⅱ - 3 과 같이 이미터(E) 와 베이스(B) 사이에
순방향전압을 인가하면 이미터(E) 와 베이스(B) 사이의
공핍층은 중화되고, 이미터(E) 로부터 다수의 전자가
베이스(B) 지역으로 주입된다.

베이스층은 두께가 얇고 또 불순물농도가 낮아 정공수가
아주 적기 때문에 밀려들어오는 전자중의 극히 일부만이
정공과 재결합하여 베이스단자를 통과한 다음에,
전원으로 이동하게 된다.
그림 - 3Ⅱ 이미터 베이스 회로 순방향- ( ) < 네이버 지식백과>

이동하는 전자수가 적다는 것은 흐르는 전류가 적다는 것을 의미한다.

그림 Ⅱ - 4 와 같이 베이스(B) 와 컬렉터(C) 사이에 높은 역방향전압(UR) 을 인가하면 베이스,
층(P 형 의 정공은 전원의) ( )－ 에 흡인되고, 컬렉터(N 형 의 전자는 전원의) (＋ ) 에 흡인되므로,
공핍층은 더욱더 넓어져 전류가 흐를 수 없게 된다. 동시에 베이스(B) 와 컬렉터(C) 사이의
PN 접합면 공핍층 에는 고정 이온전하에 의한 강력한 양( ) (＋ ) 의 전장(electric field) 이 형성된다.

위에서 설명한 두 회로를 동시에 결선하면그림 Ⅱ - 5 와 같이, 이미터(E) 와 베이스(B)
사이에는 순방향으로 그리고 베이스, (B) 와 컬렉터(C) 사이는 역방향으로 동시에 결선된다.

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