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| 인천전자마이스터고등학교 ·············································································································

파. 트랜지스터(Transistor)

1) 트랜지스터의 정의
규소, 게르마늄 따위의 반도체를 이용하여 전기 신호를 증폭하여 발진시키는 반도체 소자. 세
개 이상의 전극이 있다. 즉, 트랜지스터는 3개 이상의 단자를 가지고 있는 능동소자를 말하는

데, 능동소자란 입력과 출력을 가지고 있어 신호를 증폭이나 변환시켜 전기에너지를 변환시키는
소자를 말한다. 정리하면 트랜지스터란 3개 이상의 단자를 가진, 전기 에너지를 변환시켜주는
소자를 뜻한다.
- 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된다.
①이미터(emitter: E) :전기 반송자를 방출한다.
②컬렉터(collector: C) :전기 반송자를 다시 끌어모은다.

③베이스(base: B) :중간층으로서 방출 전류를 제어한다.

2) NPN-트랜지스터의 동작원리
이미터(E)와 베이스(B) 사이에 순방향 전압을 인가하면 이미터(E)와 베이스(B) 사이의 공핍층

은 중화되고, 이미터(E)로부터 다수의 전자가 베이스(B)로 주입된다.
베이스(B)와 컬렉터(C) 사이에 역방향 전압을 인가하면, 베이스의 정공은 전원의 (-)에 흡인되
고, 컬렉터의 전자는 전원의(+)에 흡인되므로, 공핍층은 더욱 넓어져 전류가 흐를 수없게 된다.

3) PNP-트랜지스터의 동작원리
PNP-트랜지스터의 동작원리는 NPN-트랜지스터와 같다. 하지만 NPN-트랜지스터와 반대

극성을 띤다. 베이스(B)는 이미터(E)로부터 넘어온 정공으로 범람하게 되고, 이 정공들은 전원
의 (-)와 연결된 컬렉터(C)에 흡인된다.

4) 트랜지스터의 종류
- 접합형 트랜지스터 (BJT, bi-polar junction transistor)

- 전계효과 트랜지스터 (FET, Field effect transistor)
- 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT, Insulated gate bipolar transistor)
- 유적 발굴기 MOS 구조의 보조 양극 동작 FET (GTBT, Grounded-Trench-MOS Assisted
- Bipolar-mode Field Effect Transistor)
- 단 접합 트랜지스터 (UJT, Uni-junction transistor)

- 프로그래밍 가능 UJT (PUT, Programmable Uni-junction transistor)