Page 343 - 완) I MDP 프로젝트 작품 보고서(전체과 1학년)1.6

IoT를 이용한 NFC 엘리베이터

는 것이 바람직하다. 사용전압이 DC 200V을 넘는 경우 사용 최대개폐전류가 수 mA이하로 되거나
부하의 전류에 따라 동작 수명 회수가 크게 제한되므로 주의해야 한다.

또, 최대 통전전류는 접점 폐성 중에 전류를 연속 통과시킴으로써 과 전류가 되었을 경우에는 접점
자계와 코일 자계와의 상호작용에 의해 채터링을 일으키거나 주울 열이 발생하여 접점이 현저히 소
모 열화하거나 코일이 손상되게 된다.

(2) 접점의 보호회로 : 접점을 거쳐 과도적 현상이 있는 부하회로나 일반적으로 DC 200V를
넘는 부하 전압회로를 개폐하는 경우는 접점의 수명을 확보하여접점의 장해를 방지하기 위한 보
호회로가 필요라다.

ㄱ) 유도부하의 경우

: 릴레이, 솔레노이드 등의 유도성 부하를 OFF 시키는 경우 평상시의 약 10배 정도의 역기전
력이 발생하며, 역기전압이 200V를 넘으면 글로우 또는 아크 방전이 발생하여 접점이 파괴되
는 원인이 된다. 그러므로 역기전압을 낮게 억제하거나 방전시간을 짧게 하는 보호회로를 삽입
해야 한다

ㄴ) 램프, 히터 부하의 경우

: 램프(텅스텐) 부하에서는 정상전류에 도달할 때까지 약 10배의 돌입전류가 흐르며, 이 전류가
릴레이의 최대개폐전류를 넘으면 접점에 용착 현상이 일어난다.

ㄷ) 용량성 부하의 경우

: 접점과 부하가 긴 테이블 등으로 이어져 있을 때에는 선간의 부유용량에 의한 서지 전류가 발
생합니다. 보통 이러한 경우에는 접점에 가까운 곳에 서지 서프레서를 삽입하는데 일반적으로
10mH 정도의 인덕터를 사용한다. 또한, 콘덴서를 포함한 회로에서 접점의 개폐가 빈번한 경우
에도 콘덴서의 충방전 때에 돌입 전류가 흐르므로 보호회로가 필요하다.

다이오드

가. 다이오드란?

(1) 다이오드의 정의

: 한 방향으로만 전류를 흐르게 하는 부품으로, 이런 다이오드의 성질을 이용하여 교류를 직류
로 변환하는 정류작용이나 방송 전파 내에 포함되어 있는 음성 신호를 검파하는 데 이용하기도
한다.

(2) P형 반도체와 N형 반도체

: P형 반도체는 순수 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 극소량의 3가 원소 인디움(In)을 혼합하면
원자 대신 3가인 인디움 원자가 게르마늄과 공유결합을 하게 되는데 이때 인디움 원자는 4가
인 게르마늄 원자보다 1개의 전자가 부족하게 된다. 그러므로 부족한 전자를 채우기 위해 주위에
서 전자를 끌어당기는 흡인력을 나타내게 된다. 여기서 전자가 부족한 곳은 (-)전하를 가진 전자

인천전자마이스터고등학교 - 336 -