Page 344 - 완) I MDP 프로젝트 작품 보고서(전체과 1학년)1.6
P. 344

정보통신기기  프로젝트


                 를  끌어들이려  하므로  마치  (+)전하가  있는  것과  같으나  실제로는  아무것도  없으므  로  (+)전하의
                 성질을  띤  구멍이라는  뜻으로  정공(正孔;  positive  hole)이라고  한다.

                    또한,  N형  반도체는  역시  순수  실리콘이나  게르마늄에  5가  원소인  비소(As)  혹은  같은  5가
              원소인  안티몬(Sb)을  혼합하면  5가인  비소가  실리콘과  공유결합을  하게  되는데  비소가  가지 고 있 는
              5개의  전자  중  4개는  4가  원소인  실리콘과의  결합에  사용하고  나머지  1개는  결합을  할  곳이  없어
              남게  되므로  그  전자는  이동하기  쉬운  불안정한  상태로  남게  된다.  이를  자유  전자  혹은  과잉전자라
              고  한다.

                    이러한  불안정한  성질  때문에  순수한  진성  반도체와는  달리  비교적  전류가  흐르기  쉬운상태가  된
                   다.

                    즉,  P형  반도체는  정공을,  N형  반도체는  자유전자를  캐리어(Carrier)로  많이  가지고  있다고
                      할  수  있다.  캐리어란  전류의  운반체(Carrier)와  같은  역할을  하여  붙여진  이름이다.

                나.  다이오드의  구조와  원리


















                  그림은  위에서  설명한  P형  반도체와  N형  반도체를  아래의  그림과  같이  접합  한  것이다.                       이     와
              같이  P형  반도체와  N형  반도체를  접합하면  P형  반도체와  N형  반도체가  접합되어  있는  부근에는  서
              로간의  흡인력으로  인해  정공과  전자는  서로  상대  영역으로  확산이  일어나게  된다.

                  접합부에서  P영역의  정공이  떠난  3족  원자는  음이온이  되고  ,  N영역의  전자가  떠난  5족은                        양
              이온이  되게  됩니다.  이런  이온들은  원자  자체가  전기를  띤  것이므로  움직일  수  없다.  즉  정공과  전자
              의  확산으로  움직이지  않는  이온들을  만들게  되며  이  영역은  정공과  전자가  존재하지  않는  결핍층을
              형성하고  전기장이  형성된다.

                  결핍층은  아래의  그림과  같이  자유전자나  정공이  전혀  없는  절연  영역이  됩니다.  이  절연  영역은
              전자나  정공이  매우  이동하기  어렵다.













                                  .





                                                         -  337  -                             정보통신기기과
   339   340   341   342   343   344   345   346   347   348   349