Page 349 - 완) I MDP 프로젝트 작품 보고서(전체과 1학년)1.6

IoT를 이용한 NFC 엘리베이터

이러한 반도체에 순방향 전압을 가하게 되면 이 전압에 따라 장벽이 약하게
되어P형에서N형으로 정공이 흐르게 되고 반대로 N형에서 P형으로 전자가 이동. 서로의 영역으로
주입된 정공과 전자는 그 즉시 충돌하여 빛 에너지가 되어 소멸합니다. 전하가 이동하면 PN접합을
통하여 반도체 내부에 전류가 흐르게 됩니다.

PN접합에 순방향 전류를 흐르게 하면, 전자와 정공의 발광에 동반되는 소멸이 생기지만 P형 안

에서는 정공이, N형 안에서는 전자가 각각 소멸된 양만큼 만들어진다. 따라서 LED의 발광은 반 영
구적이다. 전자와 정공이 충돌할 때의 에너지를 빛으로 낼 수 있는 것은 특별한 에너지를 갖는 반
도체만 가능합니다. 이것은 재료의 종류에 의해 결정되고, 주로 갈륨(Ga)의 화합물에 한정된다.

일반적인 다이오드의 재료인 실리콘은 이와 같은 에너지의 구조가 아니기 때문에 전자와 전하의
충돌은 열에너지가 된다.

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