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4 족 원소인 실리콘 단결정 순수 반도체 에 최외각 전자가( ) 5 개인 인(P), 비소(As) 등 5 족 원소
를 불순물로 첨가하면 실리콘 원자와 공유결합 후 전자가 남는 상태 즉 잉여전자가 생긴다 이, , .
상태에서 실리콘 결정에 전압을 걸어주면 제자리를 못찾은 잉여전자는 자유전가가 되어 전류가
흐르는 것이다 이를. n 형 반도체하고 한다.

그림 Ⅱ - 47 n 형 반도체의 전류흐름 < 삼성반도체이야기>

나. p-n 접합과 그 동작 원리
1) PN 접합에 전압이 인가되지 않았을 때
P 형 반도체와 N 형 반도체를 접합시키면 접합부분의 좁은 영역 약( 1/1,000mm), 즉 접합 경계
면에서의 반송자 정공과 자유전자 밀도 차이 때문에 자유전자는( ) N 형 반도체로부터 P 형 반도체
로 정공은 반대로, P 형 반도체에서 N 형 반도체로 확산(diffusion)* 되어 서로 재결합한다 이렇게.
되면 반송자가 결핍된 절연영역이 형성된다. → 확산에 의한 공핍층(空乏層 : depletion layer) 의
형성

확산(diffusion) 이란 예를 들면 맑은 물에 잉크를 한 방울 떨어뜨렸을 때 잉크가 번져 나가는, ,
현상이 바로 확산이다 주의할 점은. PN 접합 경계층에서의 확산은 전압이 인가되지 않아도 이루
어진다는 점이다.

그림 Ⅱ - 48 p-n 접합 전 후( / ) < 네이버 지식백과>

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