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다이오드를 떠나 도선을 따라 이동하지는 않는다는 점이다.

그림 Ⅱ - 50 다이오드의 순방향 회로 < 네이버 지식백과>

3) 역방향 전압(reverse voltage) 이 인가되었을 때

그림 Ⅱ - 51 다이오드의 역방향 회로 < 네이버 지식백과>

반도체 다이오드를그림 2-23 과 같이 P 형 반도체에 전원의 (－ ) 를, N 형 반도체에 전원의 ( )＋
를 결선하면 역방향(逆方向 ) 이 된다.

역방향전압(UR) 을 인가하면 P 형 반도체 내의 정공은 전원의 (－ ) 측에 흡인되고, N 형 반도체
내의 자유전자는 전원의 ( )＋ 측에 흡인된다 따라서 자유전자와 정공은 다이오드의 양단에 집결.
되므로 PN 접합면 즉 공핍층은 더욱더 넓어진다 공핍층이 넓어졌다는 것은 절연영역이 더욱 확, .
대되었음을 의미한다 따라서 자유전자와 정공은 경계면을 넘어갈 수 없게 된다. .

이와 같이 역방향전압(UR) 은 확산전압(Us) 과 같은 방향이 되어 공핍층의 공간대전효과를 강
화시켜 전류가 흐르지 못하게 한다 그러나 역방향전압이 너무 높으면 가전자. (價電子 ) 들이 결합
으로부터 이탈하여 역방향전류(IR) 가 급격히 증가한다. → 항복전압(breakdown voltage)

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