Page 191 - MDP2020-3

················································································ 명장양성프로젝트 【MDP】 과제발표회 자료집 Ⅲ | 185

- 두 개의 차이는 순방향 전류가 흐르는 방향에 차이가 있다.
- npn형의 경우에 전류는 이미터에서 나가는 방향으로 흐르고 pnp형의 경우에는 이미터 쪽으

로 들어가는 방향으로 전류가 흐르게 된다.

4) 전계효과 트랜지스터(FET)
- 드레인-소스 전류는 소스영영과 드레인 영역을 연결하는 전도된 채널을 통해 흐른다.
- 도성은 게이트 단자와 소스 단자 사이에 전압이 가해질 때 생성되는 전계에 의해 변한다.

- 따라서 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류는 게이트와 소스 사이에 인가되는 전압에 의해 제
어 된다.
- 전계효과 트랜지스터는 접합 전계효과 트랜지스터와 절연 게이트를 이용한 트랜지스터 두가
지로 나뉜다.
- 일반적으로 IGFET는 금속 산화막 반도체 트랜지스터로 알려져있다.

- IGFET와 달리 JFET 게이트는 소스와 드레인 사이에 있는 채널과 함께 pn다이오드를 형성한
다.
- FET는 게이트-소스 전압으로 채널이 켜지거나 꺼지는 여부에 따라 공핍형과 증가형으로 나
뉜다.
- 증가형의 경우 채널은 제로 바이어스에서 오프상태이고 게이트 전위는 전도도를 향상 시킬

수 있다.
- 공핍형의 경우 채널은 반대로 제로 바이어스에서 켜져 있고 게이트 전위의 채널을 고갈시켜
전도를 감소시킬 수 있다.
- 두 가지 모드 모두에서 게이트 전압에 양전압을 강하게 걸어줄수록 n채널 디바이스의 경우
더 높은 전류가 흐르고 p채널 디바이스의 경우 더 낮은 전류에 해당한다.

- 대부분의 JFET는 다이오드가 순방향이기 때문에 공핍형이고 대부분의 IGFET는 증가형을 따
른다.