Page 24 - 3-3

여기서 다이오드의 애노드, (A) 와 캐소드 (K), NPN 형 트랜지스터의 베이스 (B) 와 이미터
(E) 에 주목하면 같은 PN 접합으로 되어 있는 것을 알 수 있다. PNP 형 트랜지스터는 N 형 이,
미터가 P 형으로 되어있다 이와 같이 트랜지스터와 다이오드는 모두. PN 접합으로 되어 있기
때문에 그 전압과 전류 특성은 거의 같다.

옆에 그림은 다이오드와 트랜지스터의 구조를 나타낸다.

라 저항.
저항은 전기의 흐름을 방해하는 것 또는 전기가 잘 흐르지 못하게 하는 것 이라고 할 수 있으나
실질적으로는 전류의 흐름을 제어하는 역할을 한다 물질은 자유전자의 이동에 따라 전기적인 성.
질을 가지게 된다 자유전자가 그 물질을 통과 할 때 물질을 구성하고 있는 원자에 의해 흐름을.
방해 받게 되는데 이를 저항이라고 할 수 있다 전자의 이동이 전류라고 할 때 전류의 흐름을 억.
제하는 기능을 가지고 있는 것이다 전도율에 따라 부도체 반도체 도체로 나눌 수 있다 또한 저. , , .
항 값이 크다 또는 작다 라고도 말할 수 있다 어떤 물질 내부에 자유전자가 이동하게 되면 전자.
는 전기적 성질을 갖기 때문에 전류의 흐름이 된다 즉 전류는 단위 시간당 이동하는 전자의 수에.
따르는데 1 초 동안에 약 6.28 x 10 의 18 승개의 전자가 이동하면 1 암페어가 흐른다고 하며 기호
로는 1[A] 로 표시한다 그런데 물질내부에는 그물질을 구성하는 원자가 있으므로 결국 이 자유전.
자들은 이 원자들 틈새를 이동해야 하므로 이동하는데 방해를 받는다 이렇게 전자의 이동을 방해.
하는 성질을 저항이라고 한다 그러므로 물질의 전기저항은. 4 가지요소 물질의 종류 전선의 단면( ,
적 전선의 길이 온도 에 따라 달라진다 모든 물질은 그 구성원자의 구조가 다르므로 물질에 따, , ) .
라 자유전자가 이동하는 틈새를 다르게 한다 그러므로 같은 수의 전자가 투입되어도 이동할 수.
있는 틈새가 다르므로 단위시간당 통과할 수 있는 전자의 숫자는 달라진다 또 같은 물질이라도.
단면적이 클수록 이동 할 수 있는 틈새공간은 넓어진다 통과해야할 길이가 긴 경우에는 시작 단.
에서 끝단까지 통과하는데 시간이 많이 걸리게 되고 이에 따라서 단위시간당 통과하는데 어려움,
이 있게 된다 그러므로 전기 저항을 나타내는 식은 다음과 같다. .

R: 물질의 저항, : ρ 물질의 고유저항, L: 물질의 길이, A: 물질의 단면적

또 대부분의 물질은 온도가 높아지면 원자가 활발하게 운동한다 그러므로 자유전자가 이동 할, .

- 24 -