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이와 같은 조건에서 컬렉터 전류 IC 는 어느 정도가 되고 또 컬렉터와 이미터간의 전압
VCE 는 어느 정도가 되는지 알아본다.

( 가 컬렉터 전류) IC 를 구한다 먼저 컬렉터 전류. IC 는, IC = hFE·IB 에서 수치를 IC = 100
× 1mA = 100mA 로 되어 컬렉터 전류 IC 는 100mA 로 되는 것을 알 수 있다.
( 나 저항) RL 의 양 끝 전압을 컬렉터 전류가 100mA 흐른다는 것은 저항 RL 에도 100mA 의
전류가 흐르게 되므로 저항 RL 의 양끝에 전압이 이 전압을 VRL 로 하면 다음과 같이
된다. VRL = RL × IC = 50Ω × 100mA = 5V
( 다 컬렉터와 이미터간의 전압) VCE 를 VCE 를 구하려면 전원 전압 VCC 에서 VRL 을 뺀 값
이 된다. VCE = VEE – VRL =10V – 5V = 5V

(3) 베이스 전류가 IB 가 많이 흐를 때
베이스 전류가 더 많이 흐르게 하면 컬렉터 전류, IC 는 더 커진다 그러면 저항. RL 에 의한
저압 강하도 커져 컬렉터와 이미터 간의 전압은 작아진다 그리고. VCE = 0V 가 되며 베이스,
전류IB 가 아무리 증가해도 컬렉터 전류는 증가하지 않는다 이 상태를 포화 상태라고 하고 이. ,
때 컬렉터 전류를 포화 전류라 한다 또 이 상태에서는 공식의. IC = hFE·IB 는 성립하지 않는
다. [ 그림 7] 에서 보는 바와 같이 포화상태에서는 트랜지스터를 떼어 단락시킨 상태와 같다.

이 상태에서 가장 중요한 주안점은 컬렉터와 이미터간의 전압은 저항 RL 의 전압 강하에 좌
우된다는 것이다. 끝으로 앞의 ② 의 조건에서 구한 전압 전류를 회로도에 그리면, [ 그림 8]
과 같이 된다.

다이오드의 전압과 전류는 그림과 같은 특성을 나타내며 트랜지스터의 VBE 와 IB 도 역시
같은 특성을 나타낸다 다이오드와 트랜지스터는 반도체로 되어 있으며 그 구조는 다이오드가. ,
PN 접합이고 트랜지스터는, NPN 접합 또는 PNP 접합으로 되어 있다.
IC = 100mA, IB = 1mA, RL = 50 옴, Vcc = 10v, Vce = 5V

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