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먼저 B 의 전지는 연결하지 않고 A 의 전지만 연결해 본다. A 의 전지만 연결되어 있으면 역방
향 전압이므로 전류가 흐르지 않는다 여기서. B 의 전지를 연결하면 이미터(E) 와 베이스(B) 간에
순방향 전압이므로 전류가 흐르지만 원래는 베이스(B) 로 흘러야 할 전류가 베이스(B) 가 얇기 때
문에 지나쳐 버리고 전류가 흐르지 않을 컬렉터(C) 로 흐른다 결론은 베이스. (B) 전류 를I 1mA 흘
려주면 C( 컬렉터 전류 가) I 99mA 흘러 99 배 증폭 된다. ( 베이스는 수도꼭지같은 역할)

NPN 형 트랜지스터는 PNP 에 대해 대칭으로 그려주면 된다.
가 건전지 방향을 둘다 반대로 해준다) .
나 굵은 화살표의 전류 방향을 반대로 해준다) .
다 그리고) PNP 라고 적힌 것을 NPN 이라 적어준다.

3) 트랜지스터의 종류

가 구조에 따른 분류)
트랜지스터의 동작구조상 차이에 따라 바이폴라(bipolar) 트랜지스터와 유니폴라(unipolar)
트랜지스터로 분류 할 수 있다.
(1) 바이폴라 트랜지스터
Bi(2 개) Polar( 극성 의 의미로서 트랜지스터를 구성하는 반도체에 정공 플러스극성 과 전) ( )
자 마이너스 극성 에 의해 전류가 흐르게 되어있는 것을 바이폴라 트랜지스터라고 한다 일( ) .
반적인 트랜지스터는 실리콘으로 되어 있는 바이폴라트랜지스터를 가리킨다.
(2) FET
Field Effect Transistor 의 약어로 전계 효과 트랜지스터라 하며 접합형 FET 와 MOS 형
FET 및 GaAs 형 FET 가 있다 접합형. FET 는 오디오기기 등 아날로그 회로에 많이 이용되
며 MOS 형 FET 는 주로 마이크로컴퓨터 등의 디지털 IC 에 사용되고 있다. GaAs 형 FET 는
위성방송 수신 등의 마이크로파의 증폭에 사용된다.
(3) MOS
Metal Oxide Semiconductor 의 약어로 그 구조가 금속(Metal), 실리콘 산화막(Oxide), 반
도체(Semiconductor) 순으로 되어 있어서 MOS 로 불리고 있다. MOS 에는 P 형과 N 형,C
형이 있으며 소비 전류를 작게 할 수 있기 때문에 마이크 로컴퓨터 등 집적도가 높은
IC 에 사용된다.

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