Page 71 - 완) I MDP 프로젝트 작품 보고서(전체과 1학년)1.6

2. 하드웨어의 개요

(1) 트랜지스터(TR)의 기본구조

트랜지스터는 3층-반도체이므로 PNP-TR 또는 NPN-TR이 된다. 그리고 각 층 간에는
PN접합이 형성된다. 또 TR 1개와 다이오드 2개를 역으로 접속한 회로와의 비교가능성

을 제시하고 있다. 그러나 다이오드 2개를 역으로 접속해도 TR 1개의 기능을 하지 못
한다. 이유는 다이오드에서는 ‘트랜지스터 효과’가 발생되지 않기 때문이다.

트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된다.
① 이미터(emitter: E)1) : 전기 반송자를 방출한다.
② 컬렉터(collector: C)2) : 전기 반송자를 다시 끌어 모은다.

③ 베이스(base: B)3) : 중간층으로서 방출전류를 제어한다.
또 이미터층이나 컬렉터층에 비해 대단히 얇다.

(2) 트랜지스터를 이용한 스위칭 동작

<<트랜지스터의 직류 특성>>
활성 - 직류 상황에서 전류 IC는 전류 IB 보다 hFE 배만큼 더 많은 전류가 흐름
• 베이스와 이미터가 순방향으로 바이어스

• 컬렉터와 베이스가 역방향으로 바이어스
차단

• 만일 IB가 0[A]이면 컬렉터 전류 IC는 거의 0[A], 트랜지스터는 차단
포화
• 베이스와 이미터, 컬렉터와 베이스가 모두 순방향

• IB 가 계속 증가하더라도 최대로 흐를 수 있는 이상 IC는 증가하지 않는다.

<<트랜지스터 포화/차단과 스위치 ON/OFF 관계>>
• 트랜지스터 포화/차단 전기적 특성

• 기계적인 스위치 ON/OFF에 의한 전기적 특성

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