Page 72 - 완) I MDP 프로젝트 작품 보고서(전체과 1학년)1.6

(3) 트랜지스터의 증폭 작용

PNP형 반도체는 그림과 같이 P형, N형, P형 반도체가 접
합되어 있는 형태로, PNP형 트랜지스터라고 불립니다. 가
운데 N형을 베이스 (Base)라고 하고, 양쪽의 P형을 각각

이미터(Emitter), 콜렉터(Collector)라고 합니다.

오른쪽 그림과 같이 이미터와 베이스 사이에 순방향(P형
쪽에 +, N형 쪽에 -) 전압을 인가하면 PN 접합에서 순방
향 전압을 인가한 것처럼 이미터에서 베이스 쪽으로 정공

이 이동하면서, 전류가 흐르게 됩니다.

이때, 오른쪽 그림과 같이 콜렉터와 베이스 사이에 더 높
은 역방향(P형 -, N형 +) 전압을 인가하게 되면, 이미터에
서 베이스 쪽으로 흐르던 정공의 대부분이 콜렉터 쪽의 높

은 전압에 의해서 콜렉터 쪽으로 이동하고 소수의 정공만
이 베이스 쪽 으로 이동하게 됩니다. 즉, 대부분의 전류는

콜렉터 쪽으로 흐르게 됩니다.

따라서 , 순방향 전압 Vbe 를 높여서 이미터로부터 베이스로 이동하는 정공의 수를 늘

려주게 되면, 이것과 비례하여 콜렉터 쪽으로 이동하는 정공의 수도 많아지게 됩니다.
이러한 트랜지스터는 일반적으로 콜렉터 전류가 베이스 전류보다 수배~수십 배 증가

하여 흐르게 됩니다. 이처럼 트랜지스터는 베이스 쪽에 약간의 전류만 흘려도 콜렉터
쪽으로 수십 배의 큰 전류가 흐르게 하는 전류 증폭 작용을 하게 됩니다.

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