Page 121 - 2020학년도 MDP과제발표회 자료집 (통신과) (3)

2) 트랜지스터의 기본 구조

트랜지스터는 개의 반도체 층으로 구성된다3 .

① 이미터(emitter: E) : 전기 반송자를 방출한다.
② 컬렉터(collector: C) : 전기 반송자를 다시 끌어모은다.
③ 베이스(base: B) : 중간층으로서 방출 전류를 제어한다.

3) NPN- 트랜지스터의 동작원리
이미터(E) 와 베이스(B) 사이에 순방향 전압을 인가하면 이미터(E) 와 베이스(B) 사이의 공핍층
은 중화되고 이미터, (E) 로부터 다수의 전자가 베이스(B) 로 주입된다.
베이스(B) 와 컬렉터(C) 사이에 역방향 전압을 인가하면 베이스의 정공은 전원의 , (-) 에 흡인되
고 컬렉터의 전자는 전원의, (+) 에 흡인되므로 공핍층은 더욱 넓어져 전류가 흐를 수 없게 된,

다.

4) PNP- 트랜지스터의 동작원리
PNP- 트랜지스터의 동작원리는 NPN- 트랜지스터와 같다 하지만 . NPN- 트랜지스터와 반대 극

성을 띤다 베이스. (B) 는 이미터(E) 로부터 넘어온 정공으로 범람하게 되고 이 정공들은 전원의 ,
(-) 와 연결된 컬렉터(C) 에 흡인된다.

5) 트랜지스터의 종류
● 접합형 트랜지스터 (BJT, bi-polar junction transistor)
● 전계효과 트랜지스터 (FET, Field effect transistor)

● 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT, Insulated gate bipolar transistor)
● 유적 발굴기 MOS 구조의 보조 양극 동작 FET (GTBT, Grounded-Trench-MOS Assisted
● Bipolar-mode Field Effect Transistor)
● 단 접합 트랜지스터 (UJT, Uni-junction transistor)

● 프로그래밍 가능 UJT (PUT, Programmable Uni-junction transistor)
● 포토 트랜지스터
● 정전 유도 트랜지스터(SIT, Static induction transistor)
● 달링턴 트랜지스터
● 전력 트랜지스터

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