Page 168 - 2020학년도 MDP과제발표회 자료집 (통신과) (3)

해 비교적 작은 용량의 콘덴서이며 부품의 생김새는 위 그림과 같이 원반 모양처럼 생겼다 극.
성이 없어서 두 리드선의 길이는 같으며 규격은 저항 값 읽는 법과 비슷하다 첫 번째와 두 번.
째 숫자가 10 이고 여기에 끝자리가 이므로 을 개 붙이면 용량이 나온다 기본 단위는 피코4 0 4 .
패럿(pF) 이다 즉 위에 그림의 콘덴서는 . 100000pF 짜리이고 마이크로 패럿(uF) 으로 환산하

면 0.1uF 용량의 콘덴서이다 만약 . 103 이라고 쓰여져 있다면 10000pF = 0.01uF 짜리 용량
을 뜻한다 나타내는 허용오차는 알파벳에 따라 는 . F ±1%, J 는 ±5%, K 는 ±10%, M 은
±20%, N 은 ±30% 를 뜻한다.

자 다이오드.

다이오드는 전류를 한쪽으로는 흐르게 하고 반대쪽으로는 흐르지 않게 하는 정류작용을 하는
전자 부품이다 따라서 다이오드의 전기 저항은 한쪽 방향의 전류에 대해서는 매우 작지만 반. ,
대쪽 방향에 대해서는 매우 크다.

다이오드에서 전류가 잘 흐르는 방향을 순방향 반대로 전류가 잘 흐르지 않는 방향을 역방향,
이라고 한다 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흘리므로 교류. (alternating current, AC) 를 직류
(direct current, DC) 로 변환하는데 쓴다 정류 특성 외에도 다이오드는 비선형 전류 전압 특성. -
으로 인해 훨씬 더 복잡한 특징을 보인다 가장 많이 쓰는 다이오드는 . p-n 접합 다이오드는 반

도체 기반의 전자회로를 구성하는 가장 기본 단위가 된다.

* 동작 원리

전원 혹은 바이어스 전압이 연결되지 않은 상태에서 p-n 접합을 만들면 접합부 근처에서 , p
형 반도체와 형 반도체에 각각 존재하는 전하 운반자인 양공과 전자는 상대적 밀도 차이로 인n
해 서로를 향해서 확산된다 이렇게 각각의 전하 운반자가 확산하면 접합부 근처의 형 반도체 . p

쪽에는 (-) 전하를 띈 받개 이온 이와는 반대로 형 반도체 쪽에는 , n (+) 전하를 띈 주개 이온이
남게 된다 따라서 . p-n 접합부 근처는 더 이상 전기적으로 중성이 아니라 전하를 띄게 되므로
이 영역을 공간 전하 영역 또는 전하 운반자가 결핍된 영역이어서 결핍 영역이라고 부른다 이, .
로 인하여 접합부 근처에 전위차가 생기는데 이를 빌트인 퍼텐셜, (built-in potential) 이라고 부
른다 빌트인 퍼텐셜은 전하 운반자의 확산에 따라 점점 더 커지지만 그 결과로 형성된 전기장 . ,

때문에 전하 운반자는 반대쪽으로 움직이게 된다 따라서 바이어스 전압을 걸지 않은 상태에서 .
전하 운반자는 서로 반대쪽으로 움직이게 하려는 두 가지 요인이 평형을 이루는 상태에 도달하
고 그러면 전하는 더 이상 이동하지 않는다 그림 는 평형 상태에 있는 , . 2 p-n 접합 다이오드에

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